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本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括第一绝缘层，位于衬底上；接触插塞，位于前述第一绝缘层中且与衬底的表面接触；电容结构，位于前述接触插塞的上方，且此电容结构具有导电层位于前述第一绝缘层的上方；第二绝缘层，位于前述第一绝缘层的上方并覆盖电容结构；以及电容接触件，位于前述电容结构上。电容接触件包括第一接触部，穿过前述第二绝缘层且与前述电容结构的前述导电层接触；以及第二接触部，连接前述第一接触部的外表面，前述第二接触部围绕前述第一接触部的下部。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117377310A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202210743150.6
(22)申请日2022.06.28
(71)申请人华邦电子股份有限公司
地址中国
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