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2024-01-10 发布于四川
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谐振器及其制备方法.pdf

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一种谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域。该谐振器的制备方法包括：对单晶材料层进行刻蚀以形成凹槽结构；自单晶材料层刻蚀有凹槽结构的一面进行离子注入，以在单晶材料层内形成损伤层；在单晶材料层刻蚀有凹槽结构的一面形成键合层，并刻蚀键合层以形成第一凹槽，第一凹槽在单晶材料层上的正投影覆盖凹槽结构；将衬底通过键合层与单晶材料层键合；沿损伤层去除位于损伤层背离衬底一侧的部分单晶材料层；在剩余单晶材料层上依次形成下电极、压电层和上电极。该谐振器的制备方法制备工艺简单，且能够提高器件的Q值并能一定程度抑制伪

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117375561A

(43)申请公布日2024.01.09

(21)申请号202311306467.4H10N30/082(2023.01)

(22)申请日2023.10

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