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一种碳氮化硅薄膜及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2024-01-10 发布于四川
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一种碳氮化硅薄膜及其制备方法和应用.pdf

    本发明提供了一种碳氮化硅薄膜及其制备方法和应用。所述碳氮化硅薄膜的制备方法包括以下步骤：(1)通过热原子层沉积方法在衬底表面通入硅前驱体，得到第一反应物；所述硅前驱体的分子结构中不含卤素；(2)将步骤(1)得到的第一反应物与助剂接触，得到中间体；所述助剂的分子式为CaHbXc；其中，X选自N或S；a≥0，b≥1，c≥0；(3)通过等离子增强原子层沉积方法将步骤(2)得到的中间体与氮源接触，得到所述碳氮化硅薄膜。本发明中，所述制备方法能够实现低温沉积，且得到的碳氮化硅薄膜质量高，具有较低的介电常数

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117364061A

    (43)申请公布日2024.01.09

    (21)申请号202311317683.9H01L21/02(2006.01)

    (22)申请日2023.10.

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