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高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdfVIP

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  • 2024-01-10 发布于四川
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高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdf

    本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含衬底；缓冲层，位于所述衬底上；势垒层，位于所述缓冲层上；以及栅极结构，位于所述势垒层上，其中，所述栅极结构包含盖层和位于所述盖层上方的栅极，所述盖层包含位于其侧壁上的栅极漏电抑制区。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117374111A

    (43)申请公布日2024.01.09

    (21)申请号202210766966.0

    (22)申请日2022.06.30

    (71)申请人联华电子股份有限公司

    地址中国

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