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高晶格间距二硫化钼材料及其制备方法、负极和电池.pdfVIP

高晶格间距二硫化钼材料及其制备方法、负极和电池.pdf

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    本发明电池材料技术领域，公开了高晶格间距二硫化钼材料及其制备方法、负极和电池。公开的高晶格间距二硫化钼材料的制备方法，包括：使混合有硫源、钼源以及诱导金属离子的复合溶液在温度200～280℃下保温反应，反应结束后得到固液混合物；分离出固液混合物中的固体物质即得高晶格间距二硫化钼材料；诱导金属离子为锗离子、铁离子、镓离子、镍离子和锰离子中至少一种。公开的负极材料，采用上述制备方法制得。公开的负极，采用上述负极材料制得。公开的锂离子电池，包括上述负极。本发明提供的制备方法制得的高晶格间距二硫化钼材料

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117361629A

    (43)申请公布日2024.01.09

    (21)申请号202311390766.0

    (22)申请日2023.10.25

    (71)申请人广东中钠科技有限公司

    地址51

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