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本发明的一种面向FLASH阵列的器件仿真方法，涉及一种半导体器件仿真方法。目的是为了克服FLASH存储器阵列中FLASH存储单元仿真难以准确评估不同位置FLASH存储单元的电性能的问题，具体步骤如下：一、在FLASH阵列的漏端和源端分别施加电压Vd施加电压Vs，计算得到该FLASH阵列中待仿真的FLASH存储单元的漏端电压和源端电压；二、向待仿真的FLASH存储单元的漏端和源端分别施加漏端电压和源端电压，计算待仿真的FLASH存储单元的电性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117371368A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311393066.7
(22)申请日2023.10.25
(71)申请人哈尔滨工业大学
地址15000
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