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半导体装置.pdfVIP

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    一种半导体装置包含：衬底；第一电极，其经设置为在与所述衬底的表面相交的第一方向上与所述衬底的所述表面分开；第二电极，其在所述第一方向上完全延伸穿过所述衬底且在所述第一方向上在一个端处连接到所述第一电极；第一结构，其覆盖所述第二电极的侧表面；及绝缘膜，其设置于所述第二电极与所述第一结构之间。所述第二电极包含第一原子，且所述第一结构包含第二原子。所述绝缘膜中的所述第二原子的扩散系数小于所述绝缘膜中的所述第一原子的扩散系数。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN110875298A

    (43)申请公布日

    2020.03.10

    (21)申请号20191

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