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- 2024-01-10 发布于四川
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本发明公开了一种核壳结构电阻损耗型电磁屏蔽材料及其制备方法，以SiC粒子为“核”，聚吡咯为“壳”，制备具有核壳结构的复合填料，然后将所得复合材料引入聚酰亚胺基体中，得到高性能电阻损耗型电磁屏蔽材料。本发明所得材料不但具有良好的电磁屏蔽性能，并且具有优异的耐高低温特性。所得材料在X波段的屏蔽效能最高可达38dB，其中吸收损耗高于27dB，表现出以吸收损耗为主的电磁屏蔽特性。基于聚酰亚胺基体优异的耐高低温性能，本发明所得材料可以在‑80℃～350℃条件下长期使用，展示出良好的环境适用性。本发明采用硅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117363011A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202210985867.1
(22)申请日2022.08.16
(71)申请人北京理工大学
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