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32ndEuropeanPhotovoltaicSolarEnergyConferenceandExhibition
FABRICATIONOFSTRAOMPENSATEDHETEROJUNCTIONGE/SI1-XCX
QUANTUMDOTSOLARCELLS
KazuhiroGotoh122221,3
,RyujiOshima,TakeshiTayagaki,TakeyoshiSugaya,KojiMatsubara,andMichioKondo
1DepartmentofInnovativeandEngineeringMaterials,InterdisciplinaryGraduateSchoolofScienceandEngineering,
TokyoInstituteofTechnology,4259Nagatsuta-cho,Midori-ku,Yokohama,Kanagawa226-8503,Japan
2ResearchCenterforPhotovoltaics,NationalInstituteofAdvancedIndustrialScienceandTechnology(AIST),
1-1-1Umezono,Tsukuba,Ibaraki305-8568,Japan
3FukushimaRenewableEnergyInstitute,AIST(FREA),2-2-9Machiikedai,Koriyama,Fukushima963-0298,Japan
:Heterojunction50-layer-stackedGequantumdotsolarcells(QDSCs)werefabricatedviamolecular
beamepitaxyusingastraompensationtechnique.Si1-xCxmaterialsconsistingofaSimatrixwithasmallamountof
carbon(~0.05%)wereusedasstraompensatinglayers(SCLs).Inthe50-layer-stackedGeQDs,largecoalesced
islandswithadensityof4.0·108cm-2wereobservedforQDsstackedwithSispacerlayers,whereastheformationof
coalescedislandswaseffectivelysuppressedforQDsstackedwithSi1-xCxSCLs.Theexternalappliedbiasvoltage
dependenceontheshortcircuitcurrentwascalculatedfromexternalquantumefficiencymeasurements.Thisstudy
revealedthatthecarriercollectionefficiencyGe/Si1-xCxQDSCswassuperiortoGe/SiQDSCs,possiblyduetothe
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