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本公开提供一种成膜方法和成膜装置,是能够在制造氮化硅膜时恰当地控制期望的金属的掺杂量的技术。成膜方法用于在基板上形成掺杂了期望的金属的氮化硅膜。该成膜方法包括以下工序:工序(a),向收容有所述基板的处理容器的内部供给含硅气体;工序(b),向所述处理容器的内部供给含有所述期望的金属的含金属气体;以及工序(c),在所述工序(a)进行至少一次并且将所述工序(b)进行至少一次之后,向所述处理容器的内部供给含氮气体。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117364056A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202310762987.X
(22)申请日2023.06.27
(30)优先权数据
2022-110733202
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