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传感器敏感原理与特性;2.1传感器的工作机理;一根电阻丝的电阻值R可表示为;1)电阻丝的灵敏度系数受两个因素影响,一个是受力后材料几何尺寸的变化量,即;另一个是受力后材料电阻率发生的变化量,即。
2)在外力作用下,被测电阻丝产生微小机械变形,应变片随之发生相同的变化,同时应变片电阻值也发生相应变化。;材料在弹性变形阶段,其应力和应变成正比例关系(即满足胡克定律),其比例系数称为弹性模量。因此,应力与应变的关系可表示为
金属应变片除了直接用于测量机械、仪器以及工程结构的应力、应变外,还与某种形式的弹性元件相配合,制造成各种应变式传感器用来测量力、扭矩、位移、压力、加速度等其他物理量。 ;金属电阻应变片由敏感栅、基片、覆盖层和引线等部分组成。敏感栅是应变片的核心部分,它粘贴在绝缘的基片上,其上再粘贴起保护作用的覆盖层,两端焊接引出导线。;丝式应变片是将金属丝按照图示形状弯曲后黏贴在衬底上而成,基底可分为纸基、胶基和纸浸胶基等。
箔式应变片是利用光刻、腐蚀等工艺制成的一种很薄的金属箔栅应变片,其厚度一般在0.003~0.01mm;具有尺寸准确、线条均匀、应变性能好、横向效应小、散热性能好等。
薄膜应变片是采用真空蒸发、真空沉淀或溅射等方法,将金属材料在绝缘基片上制成一定形状、厚度在0.1μm以下的薄膜敏感栅,最后再加上保护层。
;2.1.2磁电效应(霍尔效应)
1.磁电感应式传感器
磁电感应式传感器又称电动势传感器或感应式传感器,是一种通过闭合导体的磁通量变化而输出感应电动势的传感器。
在不需要电源供电的条件下,直接将被测物体的机械能转换成电信号输出。
这种传感器具有“双向”性,因此可作为“逆变器”应用于近年发展起来的“反馈式/力平衡式”传感器中,但其尺寸和重量都比较大。
;;根据感应电动势的产生方式,磁电感应式传感器可以分为变磁通式和恒定磁通式两种类型。
变磁通式结构(又称变磁阻式或变气隙式),常用于旋转角速度的测量。;恒定磁通式传感器的结构有两种:一种是动圈式,另一种是动铁式。;动圈式和动铁式的工作原理??同,当壳体随被测振动体一起振动时,由于弹簧较软,运动部件质量相对较大,因此当振动频率足够高(远高于传感器的固有频率)时,运动部件的惯性很大,来不及跟随振动体一起振动,近于静止状态,振动能量几乎全被弹簧吸收,永久磁铁与线圈之间的相对运动速度接近于振动体振动速度。;2.霍尔传感器
霍尔传感器是基于霍尔效应原理将被测量(如电流、磁场、位移、压力等)转换成电动势输出的一种传感器。
当有电流流过置于磁场中的金属或半导体薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。从物理本质上说,霍尔效应是半导体中的载流子受磁场中洛伦兹力作用而产生的。
将一块长为l、宽为b、厚为d的半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中,使磁场方向垂直于薄片。;;;2.1.3压电效应
正压电效应:某些晶体或多晶陶瓷,当受到某个方向的外力作用时,内部就会产生极化现象,同时在某两个表面上产生符号相反的电荷;当外力去掉后,又恢复到不带电状态;当作用力方向改变时,电荷的极性也随之改变;晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。上述这种现象称为正压电效应。
逆用电效应:如对晶体施加某一方向的电场,晶体本身将产生机械变形,外电场撤消后,变形也随之消失,称为逆用电效应。
;1.石英晶体的压电效应
Z轴为光轴(中性轴),它是晶体的对称轴,光线沿Z轴通过晶体时不产生双折射现象,因而以它作为基准轴;X轴为电轴,该轴压电效应最为显著,它通过六棱柱相对的两个棱线且垂直于光轴Z,显然X轴共有三个;Y轴为机械轴(力轴),显然也有三个,它垂直于两个相对的表面,在此轴上加力产生的变形最大。
;石英晶体之所以具有压电效应,与其内部结构有关。组成石英晶体的硅离子Si4+和氧离子O2-在Z平面投影。
当作用力FX=0时,正、负离子(即Si4+和2O2-)正好分布在正六边形顶角上,形成三个互成120°夹角的偶极矩P1、P2、P3。
正负电荷中心重合,电偶极矩的矢量和等于零,即:
;当晶体受到沿X方向的压力(FX<0)作用时,晶体将沿X方向产生收缩,正、负离子相对位置随之发生变化。;晶体在Y轴方向受到力FY作用下的情况与FX相似。晶体在Y(即机械轴)方向的力FY作用下,在X方向产生正压电效应,在Y、Z方向则不产生压电效应。
当晶体在Z轴方向的力FZ的作用时,因为晶体沿X方向和沿Y方向所产生的正应变完全相同,所以,正、负电荷中心保持重合,电偶极矩矢量和等于零。这就表明,沿Z(即光轴)方向的力FZ作用下,晶体不产生压电效应。;当晶片受到沿X轴方向的压缩应力作用时,晶片将产生厚度变形,并发生极化现象。在晶体线性弹性范
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