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本发明公开了一种电容，包括：金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、直流电源；金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的源极与漏极连接后的共同引出端作为所述电容的第一极板；所述MOSFET的栅极作为所述电容的第二极板，所述MOSFET的栅极通过直流电源与所述MOSFET的衬底连接。本发明还公开了一种电路元件，包括第一电容、第二电容；所述第一电容和第二电容各自包括：MOSFET、直流电源；MOSFET的源极与漏极连接后的共同引出端作为所述电容的第一极板；所述MOSFET的栅极作为所述电容的第二极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111952266A
(43)申请公布日2020.11.17
(21)申请号202010654703.1
(22)申请日2020.07.09
(71)申请人北京信息科技大学
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