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本发明涉及半导体领域，本发明公开了基于模型预测控制的磷化铟晶片智能清洗过程控制方法，包括：基于污染信息将待清洗晶片划分入N个待清洗晶片批次中；根据污染物集合与清洗液成分配比的预设关系，确定清洗液成分配比；获取晶片尺寸规格，基于晶片尺寸规格、污染物集合、污染程度系数、待清洗晶片的数量、清洗液成分配比和预配置第一参数控制预测模型，获取第一参数控制量；获取成分配比后清洗液的设定温度，基于清洗液的设定温度、污染程度系数、待清洗晶片的数量、第一参数控制量和预配置第二参数控制预测模型，获取第二参数控制量；本
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117393473A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311684951.0
(22)申请日2023.12.11
(71)申请人青岛立昂晶电半导体科技有限公司
地
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