原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及光电子材料技术领域，提供了一种大界面籽晶平界面生长YAG系列激光晶体的方法。本发明采用特定形态的大界面籽晶，通过平界面提拉法生长YAG系列激光晶体，预拉后直接进行等径生长，大幅减小了操作难度，缩短了晶体的生长周期；并且，本发明采用平界面提拉法生长YAG系列激光晶体，所得晶体质量高，无核心和侧心，可选材率高。由于本发明的方法大大缩短了生长周期，还能减少铱金坩埚或钼坩埚的挥发量，降低了制备成本，减少了钼等挥发物对晶体生长的影响。实施例结果表明，本发明能够制备得到直径40～50mm、等径长1
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117385464A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311612347.7
(22)申请日2023.11.28
(71)申请人广东省科学院半导体研究所
地址
文档评论（0）