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2024-01-13 发布于四川
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本发明提供一种超结MOS器件及其形成方法，通过先形成耗尽增强结构，耗尽增强结构位于沟槽内或者位于沟槽底部对应的外延层内；接着，形成栅极结构和隔离结构，栅极结构位于沟槽内且位于耗尽增强结构上方并依附在沟槽侧壁两侧，耗尽增强结构与栅极结构呈垂直方向分布，隔离结构位于相邻的栅极结构之间，隔离结构用于隔离相邻的栅极结构；然后形成第一接触插塞，第一接触插塞贯穿隔离结构延伸至耗尽增强结构并与耗尽增强结构电连接。耗尽增强结构与栅极结构呈垂直方向分布，以及设置第一接触插塞与耗尽增强结构电连接，无需从其他区域引出

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117393436A

(43)申请公布日2024.01.12

(21)申请号202311425125.4

(22)申请日2023.10.30

(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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