一种含钨层的刻蚀方法及半导体工艺设备.pdfVIP

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2024-01-13 发布于四川
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一种含钨层的刻蚀方法及半导体工艺设备.pdf

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本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种含钨层的刻蚀方法及半导体工艺设备，该刻蚀方法包括步骤：主刻蚀步，对上表面具有目标图形刻蚀掩膜层的含钨层表面进行各向异性刻蚀，以形成开口；掩膜增厚步，在开口的内侧壁及目标图形刻蚀掩膜层的上表面沉积保护膜层；循环进行主刻蚀步和掩膜增厚步至少一次，直至开口形成目标深度的开口。该半导体工艺设备包括工艺腔室、进气组件、上电极组件和下电极组件和控制器，能够实现该刻蚀方法。采用该刻蚀方法，更容易获得垂直的各向异性刻蚀，形成保护膜，同时防止开口顶部出现线宽损失，循环多次

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117393428A

(43)申请公布日2024.01.12

(21)申请号202311435077.7

(22)申请日2023.10.31

(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

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