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2024-01-13 发布于四川
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一种良品率高的晶圆加工方法.pdf

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本发明涉及晶圆加工技术领域，且公开了一种良品率高的晶圆加工方法，包括以下步骤：S1：晶圆加工，对硅料进行掏圆加工，获得圆柱形硅料，对圆柱形硅料的端面进行铣磨加工，使圆柱形硅料的端面平整，然后以圆柱形物料的端面为定位基准面，绕圆柱形物料的轴线修正圆柱形物料的圆周面，最后切割圆柱形物料以获得晶片。本发明不仅能够对晶片进行彻底的清洗，彻底去除晶圆表面的杂质，提高了半导体器件的性能，同时提高了产品的良品率，而且能够避免水汽在晶圆表面冷凝的现象，进一步提高了晶圆加工后的产品良率，还能够降低绕圆柱形物料的轴

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117393418A

(43)申请公布日2024.01.12

(21)申请号202311553665.0

(22)申请日2023.11.21

(71)申请人南京宽能半导体有限公司

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