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一种高压平面肖特基二极管及其制备方法.pdf

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    本发明公开了一种高压平面肖特基二极管及其制备方法，所述肖特基二极管包括表面金属、SiO2初氧层、肖特基势垒金属层、P型组合分压环、N‑型衬底及底部金属，所述SiO2初氧层、肖特基势垒金属层位于N‑型衬底的上表面，肖特基势垒金属层的两侧分部有SiO2初氧层，SiO2初氧层的下方埋设有P型组合分压环，所述P型组合分压环紧靠所述肖特基势垒金属层，所所述P型组合分压环由多个不同结深和浓度的P型环相交而成，所述表面金属位于肖特基势垒金属层和SiO2初氧层的上方，所述底部金属位于N‑型衬底的下方。本发明的肖

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117393584A

    (43)申请公布日2024.01.12

    (21)申请号202311608214.2

    (22)申请日2023.11.29

    (71)申请人德兴市意发功率半导体有限公司

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