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一种制造半导体器件的方法部分地包括在第一半导体衬底的表面上生长第一氧化物层，在该氧化物层上形成绝缘材料层，图案化并蚀刻该绝缘材料和第一氧化物层，以形成多种氧化物‑绝缘体结构，并进一步暴露半导体衬底的表面，在半导体衬底的暴露表面上生长第二氧化物层，并去除第二氧化物层，从而形成在其中形成有MEMS器件的腔。可以重复在腔的暴露表面中生长氧化物并去除该氧化物的过程，直到腔深度达到预定值。可选地，在腔中形成多个缓冲块。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110719889A
(43)申请公布日
2020.01.21
(21)申请号20188
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