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SRAM多单元操作.pdfVIP

SRAM多单元操作.pdf

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    一种多存储器单元操作器，包括：非破坏性存储器阵列，存储器阵列在每列存储单元具有第一位线和第二位线，且在每行存储单元具有单个字线，每个存储单元包括数据存储元件和两个访问晶体管，每个晶体管连接到字线、数据存储元件、及位线之一；激活单元，用于同时激活存储器阵列中的至少两行，以在第一位线上生成至少两个存储单元的数据和互补数据的多个布尔函数输出，并在第二位线上生成数据和互补数据的不同的多个布尔函数输出以同时用于存储器阵列的每一列；以及多列解码器，至少用于激活多个选定列的第一位线和第二位线以用于读取或写入。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN110335633A

    (43)申请公布日

    2019.10.15

    (21)申请号20191

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