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本发明涉及一种雪崩二极管及其制备方法，该雪崩二极管包括二极管主体区域，以及形成于所述二极管主体区域外围的隔离区域，所述隔离区域包括用于形成隔离的深沟槽，所述二极管主体区域包括PN结、形成于所述PN结周围的光吸收区、以及通过对所述光吸收区上邻近所述深沟槽的侧壁进行离子注入而形成的第一载流子收集区域。与现有技术相比，本发明通过侧壁离子注入的方式，构造深度较深且掺杂均匀的空穴吸收区，工艺简单，大幅度降低成本，同时可以增加PDE，降低DCR等。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117393634A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311210548.4
(22)申请日2023.09.19
(71)申请人浙桂（杭州）半导体科技有限责任公
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