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2024-01-13 发布于四川
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本发明公开一种半导体结构，包括：双极结型晶体管，包括：集电极区的第一有源区，包括沿第一方向延伸的第一鳍以及外延生长在第一鳍上的第一源极/漏极部件；基极区的第二有源区和第三有源区，第二有源区和第三有源区的每个有源区包括沿第一方向延伸的第二鳍以及外延生长在第二鳍上的第二源极/漏极部件；以及发射极区的第四有源区包括沿第一方向延伸的第三鳍以及外延生长在第三鳍上的第三源极/漏极部件，第二有源区和第三有源区设置在第四有源区在第一方向上的相对两侧，第一有源区比第四有源区长，第四有源区述第二有源区和第三有源区长

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117393561A

(43)申请公布日2024.01.12

(21)申请号202310825645.8H01L29/10(2006.01)

(22)申请日2023.07.

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