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半导体装置及其形成方法.pdfVIP

半导体装置及其形成方法.pdf

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    本申请涉及半导体装置及其形成方法。一种设备包含：硅通孔TSV，其包含导电材料；第一接触插塞，其具有上表面及直接连接到所述TSV的上表面的下表面；第一布线，其直接连接到所述第一接触插塞的所述上表面；第二布线，其具有上表面；第二接触插塞，其具有上表面及直接连接到所述第二布线的所述上表面的下表面；及第三布线，其直接连接到所述第二接触插塞的所述上表面；其中所述第一布线与所述第三布线处于大体上相同的层级中。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117393538A

    (43)申请公布日2024.01.12

    (21)申请号202310826458.1

    (22)申请日2023.07.06

    (30)优先权数据

    17/811,8332022

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