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本发明公开一种外延片、外延片制作方法及色转换结构制作方法，外延片包括生长衬底以及生长在生长衬底上的外延层，外延层设置为，外延层靠近生长衬底的一侧的载流子浓度较远离生长衬底的一侧的载流子浓度低，采用电化学腐蚀法腐蚀外延层时，当电极搭在外延层远离生长衬底的一表面层上时，由于该表面层载流子浓度更高，会使电流在该表面层扩散，即使电极只接触该表面层的局部区域，也能扩散电流至整个表面层，从而能使该表面层各处被均匀腐蚀。采用本发明的外延片制作的色转换结构，由于腐蚀均匀，形成的多个孔隙分布均匀，使得色转换材料的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117393416A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202210786688.5
(22)申请日2022.07.05
(71)申请人东莞市中镓半导体
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