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本发明涉及射频超宽带CMOS低噪声放大器的制造方法，包括双谐振负载网络结构、共栅极结构和负载R‑L‑C结构，放大级采用三谐振网络匹配技术，其中M1、M2、M3均为NMOS管，电路的输出级采用源跟随器结构，电路在整个带宽范围内实现输入阻抗匹配，双谐振负载网络结构的输入阻抗为：在放大器的输入端口需要实现输入阻抗的匹配，通过减小M1的跨导来降低M1管的偏置电压，使电路功耗减少，放大级采用三谐振网络匹配技术，利用这一技术在电路中实现了较高的增益，并拓展了带宽；电路的输出级采用源跟随器结构，此外，在电路中
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117394806A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311291882.7H03F1/26(2006.01)
(22)申请日2023.10.0
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