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根据本公开的半导体器件结构可以包括具有第一衬底和第一互连结构的第一管芯、具有第二衬底和第二互连结构的第二管芯以及具有第三互连结构和第三衬底的第三管芯。第一互连结构经由第一多个接合层接合到第二衬底。第二互连结构经由第二多个接合层接合到第三互连结构。第三衬底包括多个光电二极管和第一晶体管。第二管芯包括第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第二晶体管的源极与第一晶体管的漏极连接，第三晶体管的栅极与第一晶体管漏极和第二晶体管源极连接。本公开还提供了形成半导体器件结构的方法。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117393573A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311020551.X
(22)申请日2023.08.14
(30)优先权数据
63/408,5312022
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