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勾形磁场对硅单晶CZ生长过程影响的全局数值分析的开题报告

开题报告

一、选题背景

单晶硅是制造半导体器件的重要材料，而硅单晶的制备方法中，CZ法是最为常用的一种，其生长过程涉及到多种物理、化学、热力学等问题，其中磁场的作用是一个重要的因素。在CZ法生长过程中，磁场的加入可改变熔体约化半径和形状，从而控制晶体生长速度和形貌，进而在生长表面形成涡流和横向温度梯度等，并且可以控制晶体中的缺陷密度和晶界位置。在基础研究和工业生产中，磁场对硅单晶CZ生长技术的影响得到了广泛的关注。

二、选题目的

本文旨在研究勾形磁场对硅单晶CZ生长过程的影响，并进行全局数值模拟分析，以期得到磁场参数对晶体生长速率、晶体形貌、缺陷密度等方面的影响规律，为提高CZ法的生长质量和工艺参数优化提供理论和实验基础。

三、研究内容

本文主要研究内容包括以下三个方面：

1.勾形磁场在硅单晶CZ生长过程中的作用机制

2.勾形磁场对硅单晶CZ生长过程的影响规律

3.勾形磁场的优化策略

四、研究方法

本文将采用全局数值模拟方法，建立数值模型并进行仿真计算。数值模型包括磁场模型、热传递模型、流动模型、物质传递模型、应力模型等，通过数值模拟方法分析磁场参数对晶体生长速率、晶体形貌、缺陷密度等方面的影响规律，并提出磁场优化策略，为硅单晶CZ生长技术的进一步研究和应用提供理论基础和实验依据。

五、预期成果

1.建立勾形磁场硅单晶CZ生长模型，并进行全局数值模拟分析。

2.分析勾形磁场对硅单晶CZ生长过程的影响规律，提出磁场优化策略。

3.对勾形磁场硅单晶CZ生长技术的进一步研究和应用提供理论基础和实验依据。

六、研究进度安排

本研究计划总工期一年，安排如下：

1.第1-2个月：文献调研和理论研究，确定数值模型和仿真参数。

2.第3-6个月：建立数值模型和进行仿真计算，得到初步结果。

3.第7-9个月：分析勾形磁场对硅单晶CZ生长过程的影响规律，提出优化策略，并进行计算验证。

4.第10-12个月：总结分析结果，撰写论文并进行毕业答辩。

七、存在问题

1.仍需要进一步明确勾形磁场在硅单晶CZ生长过程中的作用机制。

2.数值模型的建立需要考虑多种物理因素相互作用的情况，目前仍存在一定的不确定性。

3.实验验证的可行性需要进一步研究，以保证数值模拟结果的准确性。

八、参考文献

1.王清宏等.硅单晶CZ生长中非对称勾形磁场对生长体系的控制性能.2016,33(9):83-86.

2.朱力等.勾形磁场对CZ硅单晶生长的影响.物理学进展.2006,26(6):899-903.

3.张鹏飞等.磁场在硅单晶CZ生长过程中应用的研究综述.材料科学与工程学报.2006,24(1):132-137.

4.李春江等.硅单晶CZ生长过程中磁场的数值模拟.物理学报.2008,57(1):470-475.