半导体装置及其制作方法.pdfVIP

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2024-01-17 发布于四川
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半导体装置及其制作方法.pdf

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本发明公开一种半导体装置及其制作方法，其中该半导体装置包括一基板、一鳍状结构、一栅极结构以及一第一阱。鳍状结构设置于基板之上。栅极结构设置于基板之上。鳍状结构的一延伸方向交叉于栅极结构的一延伸方向。第一阱设置于栅极结构之下，对应于半导体装置的一射极区，且第一阱具有一第一导电型，其中第一阱邻近于一阱阻挡层，阱阻挡层设置于射极区中的栅极结构之下。其中阱阻挡层具有一阱掺杂质的一第一掺杂浓度，第一阱具有阱掺杂质的一第二掺杂浓度，且第一掺杂浓度小于第二掺杂浓度。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117410323A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202210796978.8

(22)申请日2022.07.06

(71)申请人联华电子股份有限公司

地址中国

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