1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种平面栅六边形元胞SIC MOSFET结构.pdfVIP

  • 100
  • 0
  • 约8.28千字
  • 约 8页
  • 2024-01-17 发布于四川
  • 举报

一种平面栅六边形元胞SIC MOSFET结构.pdf

    本发明公开一种平面栅六边形元胞SICMOSFET结构，包括多个并联的六边形MOS元胞，六边形MOS元胞六个边相邻位置均分布有六边形MOS元胞，相邻六边形MOS元胞至少有一边平行，六边形MOS元胞具有多晶硅栅极，多晶硅栅极下侧具有一层栅氧层，栅氧层上具有一凸起段，突起段位于六边形MOS元胞的JFET区上方，使得雪崩击穿时的电场强度进行抑制热载流子注入，自身具有较大的电流密度，在发生雪崩击穿或栅源过压时，可在瞬间通过热载流子，进一步降低栅氧内的电场强度，进而缓解热载流子注入效应，实现更佳效果的降低

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117410313A

    (43)申请公布日2024.01.16

    (21)申请号202311463782.8

    (22)申请日2023.11.06

    (71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司

    地

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >