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2024-01-17 发布于四川
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一种半导体器件及其制作方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该制作方法包括步骤：提供一半导体层，其上形成有栅介质层；形成与至少一部分栅介质层连接的导电金属层于栅介质层上方；形成源极金属、漏极金属及第一场板于半导体层的上方，源极金属及漏极金属贯穿栅介质层与半导体层的预设位置连接，第一场板位于源极金属与漏极金属之间；形成栅极金属及第二场板于半导体层上方，栅极金属位于源极金属与漏极金属之间，第二场板位于栅极金属与漏极金属之间且与第一场板垂向投影部分重叠。该制作方法在栅极介质层与栅极金属之间额外设置导电金属层，并通过导电金属

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117410180A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202311590275.0H01L29/40(2006.01)

(22)申请日2023.11.

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