基于cmos工艺的高线性度低损耗射频收发切换开关.pdfVIP

基于cmos工艺的高线性度低损耗射频收发切换开关.pdf

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本发明提供一种基于cmos工艺的高线性度低损耗射频收发切换开关,包括天线信号端口pin1、电压源V1、发射支路开关和接收支路开关;接收支路开关包括接收通道的信号端口pin3、NMOS管M2、电容Cp3、电容C4、电感L3和电感L4;发射支路开关包括发射通道的信号端口pin2、NMOS管M1、电容Cp1、电容Cp2、隔直电容C1、电容C2、隔直电容C3、电感L1、电感L2、电阻R1和电阻R2。本发明对现有传输线‑并联开关型结构的收发切换开关进行了改进,减小了开关的芯片面积以及射频信号通过收发切换开

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117411514A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202311491039.3

(22)申请日2023.11.09

(71)申请人中国电子科技集团公司第十研究所

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