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2024-01-17 发布于四川
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本发明提出了一种半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，所述半导体激光器构成禁带宽度梯度、介电常数梯度、击穿场强梯度、重空穴有效质量梯度和价带有效态密度梯度。本发明能够改善激光器折射率色散，提升激光器的限制因子，提升激光器的模式增益，抑制衬底模式泄漏，提升远场FFP图像质量；同时，可降低泵浦光与振荡光之间能量差导致的斯托克斯频移热损耗，降低激光器的废热产生率，降低热膨胀和热失配应力，抑制温度淬灭和激光器热失配断裂问题，抑制热透镜和应力

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117410832A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202311484187.2

(22)申请日2023.11.09

(71)申请人安徽格恩半导体有限公司

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