半导体制程高纯度多孔金属限流器.pdfVIP

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  • 2024-01-17 发布于四川
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本实用新型提供了半导体制程高纯度多孔金属限流器,包括接头,连接在接头内的套筒,连接在套筒内的烧结滤芯;所述接头一端设有第一台阶且向内延伸形成有第一凹槽,所述套筒一端设有第二台阶且向内延伸形成有第二凹槽,所述套筒位于第一凹槽内,所述烧结滤芯位于第二凹槽内。本实用新型提供的半导体制程高纯度多孔金属限流器,不含非金属材质或者弹性体,不会造成弯曲或者颗粒脱落,可以经受高温高压;另外,气流可均匀通过烧结滤芯数百个微通道,不会增加流动速度或者产生不规则的流动路径,不易形成堵塞与紊流,减少了磨损,大幅度提升了

(19)国家知识产权局

(12)实用新型专利

(10)授权公告号CN220354200U

(45)授权公告日2024.01.16

(21)申请号202321960114.1

(22)申请日2023.07.25

(73)专利权人飞潮(上海)新材料股份有限公司

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