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高端电子制程中钴化学机械抛光剂的研究进展(I)──氧化剂

摘要：介绍了化学机械抛光(CMP)的基本原理。概述了Co作为阻挡层及互连材料时，化学机械抛光液中常用氧化剂(包括HO、

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NaClO和KSO)的研究进展和作用机制。

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关键词：高端电子；钴；化学机械抛光；抛光液；氧化剂；综述

Abstract:Thebasicprincipleofchemicalmechanicalpolishing(CMP)wasintroduced.Theresearchprogressofoxidants

suchasHO,NaClO,andKSOcommonlyappliedtotheCMPofCobarrierandinterconnectwerereviewed.Theaction

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mechanismoftheoxidantswasdiscussed.

Keywords:high-endelectronic;cobalt;chemicalmechanicalpolishing;slurry;oxidant;review

自1997年IBM以铜取代铝后，以大马士革为技术特征的铜制程工艺经过二十几年的发展，在半导体行

业中得到完善和广泛应用。但随着超大集成电路(ULIC)的进一步发展，半导体制程工艺特征尺寸逐渐减小，

铜互连线的横截面积随之减小，当技术节点发展到10nm及以下时，Ta/TaN等铜衬底的厚度占据了较大的布

线空间，加大了线路的电阻率，使互连电阻增大，导致电容信号进一步延迟[1-2]。另外，Ta/TaN阻挡层在Cu

导线的保形沉积及其与阻挡层薄膜的兼容性越发不能满足集成电路的要求[3]。Co是一种电迁移率较小的金属，

虽然电阻率较高，但是它的电子平均自由程只有铜的1/4，有研究表明厚度≤2nm的Co膜就可以充当导线及

阻挡层[4-5]，不仅可以降低阻挡层厚度，而且Co与Cu之间具有更好的粘附性，在高纵横比沟槽中有望取代W

和Ta/TaN作为铜布线的阻挡层，相关研究已备受关注[6-8]。如果用Co代替Cu作为互连导线，可以减小线宽，

提高芯片布线的密度，也可以使导线的电子迁移率提高到原来的5~10倍，通路电阻(viaresistance)也会降低，

[9-11]

因此Co被认为是技术节点为10nm以下制程用新一代互连材料的首选。

钴在半导体制程中的应用必然对现有的制程工艺产生影响。化学机械抛光(CMP)是目前集成电路实现高

密度集成必不可少的全局平坦化技术，它将抛光液的化学作用和机械作用结合起来，在化学溶解及机械摩擦

过程中实现抛光表面的整体平坦化。钴的引入会改变现有制程中所涉及的金属的环境，而不同金属在电化学

活性上的差异会使共存金属在导电介质中面临原电池反应带来的电化学腐蚀[7]。CMP又是一个容易产生电化

学腐蚀的过程，同时不同金属对抛光速率的要求也会因为钴的存在而有所改变，这就需要通过设计合理的

CMP配方和调整操作参数来适应。目前已有不少学者对钴化学机械抛光液的配方进行研究并已取得一定的进

展[12-15]。本文主要介绍了钴化学机械抛光液常用氧化剂的研究进展。

1化学机械抛光的机理

CMP是目前唯一能够实现全局平坦化以提高芯片集成密度的制程操作，其运作原理如图1所示：首先，

研磨盘匀速转动，含有磨料的抛光液经液管流出后均匀铺满抛光垫，被抛光金属表面与抛光液中的氧化剂、

收稿日期：2022–07–13修回日期：2023–03–03

高端电子制程中钴化学机械抛光剂的研究进展(I)──氧化剂