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历年真题

第一章

1、Si、GaAs半导体材料的导带底、价带顶分别在k空间什么位置？其晶体结构和解理面分别是什么？哪个是直接带隙，哪个是间接带隙？（2006）

2、对于金刚石结构的硅Si和闪锌矿结构的神化镓GaAs，在（111）晶面上，其原子面密度和面间距都是最大，为什么Si的解理面是（111），而GaAs不是？（2007）

3、半导体材料的禁带宽度Eg、N型半导体杂质激活能^Ed以及亲和势X分别表示半导体电子的什么状态特性？（2009年简答题7分）

4、与真空电子运动相比，半导体中电子的运动有何不同？（2009年简答题7分）

（1-9题63分，每小题7分（2010））

5、如图是一个半导体能带结构的Ek关系；

1） 哪个能带具有x方向更小的有效质量？

2） 考虑两个电子分别位于两个能带中的十字线

处，

哪个电子的速度更大些？

6、写出硅（Si）和砷化镓（GaAs）的晶体结构、禁带宽度和解理面。？（2011年简答题6分）

地—*

第一早

3、高阻的本征半导体材料和高阻的高度补偿的半导体材料的区别是什么？（2006）

1深能级杂质和浅能级杂质概念（西交大）

1以硅为例，举例说明掺入浅能级和深能级杂质的目的和作用？（西电）

2.什么是浅能级杂质？什么是深能级杂质？列举出半导体硅中各一种杂质元素的例子。半导体中掺入这些杂质分别起什么作用？（2011）

第三章

-11、定性画出N