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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要先形成一磁性隧道结(magnetictunnelingjunction,MTJ)于一基底上，然后形成一第一衬垫层于该MTJ上，形成一第二衬垫层于该第一衬垫层上，形成一金属间介电层于该MTJ上，形成一金属内连线于该金属间介电层、该第二衬垫层以及该第一衬垫层内并电连接该MTJ，其中该第一衬垫层以及该第二衬垫层包含不同材料。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117425389A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311136495.6H10B61/00(2023.01)
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