原创力文档- 14
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- 2024-01-20 发布于四川
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本申请公开一种湿法刻蚀方法，其中湿法刻蚀方法包括如下步骤：在晶圆表面执行至少一轮光刻显影、湿法刻蚀工艺；继续在所述晶圆表面执行光刻显影、湿法刻蚀工艺，并在至少一次工艺处理之前采用具有导电功能的清洗溶液清洗所述晶圆。本申请可以采用清洗溶液将晶圆表面聚集的电荷进行转移，这样在湿法刻蚀过程中，能够按照对应的掩膜图形均匀刻蚀晶圆，使刻蚀后的晶圆表面和/或侧壁平整，避免出现侧掏现象，能够提升湿法刻蚀的效果。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117423607A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311475506.3
(22)申请日2023.11.07
(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司
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