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一种半导体器件及其制备方法、电子设备.pdf

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    一种半导体器件及其制备方法、电子设备，半导体器件包括设置在衬底上的第三半导体层，设置在第三半导体层远离衬底一侧的第一半导体层和第二半导体层；贯穿第一半导体层和所述第三半导体层的第一栅极，环绕第一栅极的第一栅绝缘层；贯穿第二半导体层和所述第三半导体层的第二栅极，环绕第二栅极的第二栅绝缘层；与第一半导体层接触的第一电极和第二电极；与第二半导体层接触的第三电极和第四电极，第三电极电连接第二电极；与所述第三半导体层接触的第五电极，所述第五电极电连接所述第四电极。本实施例提供的方案，通过共用第一栅极和第二

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117423695A

    (43)申请公布日2024.01.19

    (21)申请号202211485163.4H10B43/20(2023.01)

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