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                本发明公开了一种高压大电流驱动的GaN功率放大器漏极调制电路,涉及放大器领域,该高压大电流驱动的GaN功率放大器漏极调制电路包括:供电模块,用于输出供电电压;高压供给模块,用于为导通控制模块提供高于供电模块的电压;保护模块,用于确保供电模块上电时高压供给模块不超过耐压范围;与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明通过设置高压供给模块确保输出给导通控制模块足够的电压,确保导通控制模块快速导通或截止,进而快速驱动开关管模块,实现高压输入,大电流驱动输出,且具有快速的上升与下降沿;集成高压浮地电荷泵
                    (19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117424572A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311735139.6
(22)申请日2023.12.18
(71)申请人安徽矽磊电子科技
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