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一种制造半导体装置的方法包含形成介电层堆叠于触点层上，其中介电层堆叠包含由下往上堆叠的第一氮化层、第一氧化层、第二氮化层、第二氧化层与第三氮化层。形成开口于介电层堆叠中，并暴露触点层中的触点。沿着开口的侧壁形成衬垫氮化层。侧向地部分移除衬垫氮化层以形成下电极层。移除第一氧化层与第二氧化层。沿着下电极层形成高介电常数材料层。沿着高介电常数材料层形成上电极层。本发明的半导体装置的下电极层的结构可提供足够的支撑力，而使结构稳定。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117425330A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202210973498.4
(22)申请日2022.08.15
(30)优先权数据
1111253572022.
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