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一种半导体器件及其制备方法、电子设备.pdfVIP

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  • 2024-01-20 发布于四川
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一种半导体器件及其制备方法、电子设备.pdf

    一种半导体器件及其制备方法、电子设备，所述半导体器件包括：设置在衬底上的至少一个晶体管，位线；晶体管包括：沿垂直于衬底方向延伸的半导体层、栅电极，半导体层包括沟道区域和分别设置在沟道区域两侧的第一区域和第二区域，其中，第二区域设置在所述沟道区域朝向所述衬底一侧，所述位线与所述第二区域接触，栅电极环绕所述沟道区域的侧壁，在平行于衬底的平面上，沟道区域的正投影位于第一区域的正投影内。本实施例提供的半导体器件，沟道区域的正投影位于第一区域的正投影内，在形成晶体管时，不易在隔离层出现连通栅电极和源电极的

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117423744A

    (43)申请公布日2024.01.19

    (21)申请号202310013282.8

    (22)申请日2023.01.05

    (71)申请人北京超弦存储器研究院

    地址100

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