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本实用新型提供了一种沟槽氧化层结构及电子设备，涉及半导体技术领域；沟槽氧化层结构包括：外延片；位于外延层外的沟槽；填充于沟槽内的第一多晶硅层、第二多晶硅层以及氧化层；第二多晶硅层包括第一多晶硅区，第二多晶硅区；第一多晶硅区位于第二多晶硅区下方；其中第一多晶硅层、第一多晶硅区、第二多晶硅区的宽度依次增大，且第二多晶硅区与第一多晶硅区宽度的差值，大于第一多晶硅区与第一多晶硅层宽度的差值；本实用新型通过栅极多晶硅构建场板耗尽层，可使用掺杂浓度更高的外延层材料，从而降低半导体器件的导通电阻。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220367919U
(45)授权公告日2024.01.19
(21)申请号202321487819.6
(22)申请日2023.06.12
(73)专利权人捷捷微电(南通)科技有限公司
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