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本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，形成在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管，在隔离绝缘层上方设置于虚设金属栅极结构之间的第一前侧接点，在第一前侧接点上方形成第一配线层，从基底的背侧移除基底的一部分，以暴露隔离绝缘层的底部，从隔离绝缘层的底部在隔离绝缘层中形成第一开口，以暴露第一前侧接点的底部，通过以导电材料填充第一开口形成第一背侧接点，以连接第一前侧接点。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117423621A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311133526.2H01L21/82(2006.01)
(22)申请日2023.09.
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