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2024-01-20 发布于四川
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磁隧穿结器件的制造方法.pdf

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本发明公开一种磁隧穿结器件的制造方法，包括以下步骤。形成第一介层窗于第一介电层中。形成第一电极层于所述第一介电层与所述第一介层窗上。形成磁隧穿结堆叠层于所述第一电极层上。形成图案化的第二电极层于所述磁隧穿结堆叠层上。以所述图案化的第二电极层为掩模，进行第一离子束刻蚀工艺，以刻蚀图案化的第二电极层并图案化所述磁隧穿结堆叠层以及所述第一电极层以形成第二电极、磁隧穿结堆叠结构与第一电极。形成第一保护层，覆盖所述第二电极的顶面与侧壁以及所述磁隧穿结堆叠结构的侧壁。以所述第一保护层为掩模，进行第二离子束刻

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117425388A

(43)申请公布日2024.01.19

(21)申请号202210867788.0

(22)申请日2022.07.22

(30)优先权数据

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