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本公开涉及一种存储单元、存储器及其制备方法、电子设备。所述存储单元包括：层叠设置于衬底上的读晶体管和写晶体管。其中，写晶体管包括：第一半导体层、第一栅极以及第一栅介质层。第一半导体层位于读晶体管背离衬底的一侧，第一半导体层的底部与读晶体管相连接，第一半导体层的靠近顶部的外侧壁连接写入位线。第一栅极环绕第一半导体层的靠近底部的外侧壁设置。第一栅介质层位于第一栅极与第一半导体层之间，以及第一栅极与写入位线之间。本公开可以降低存储单元的电容负载，以提高存储单元的写入速度及刷新速度，从而优化存储器性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117425338A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202211663659.6
(22)申请日2022.12.23
(71)申请人北京超弦存储器研究院
地址10
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