GaSbⅡ型超晶格红外探测材料与器件研究的开题报告.docxVIP

GaAs基InAs/GaSbⅡ型超晶格红外探测材料与器件研究的开题报告

题目：GaAs基InAs/GaSbⅡ型超晶格红外探测材料与器件研究

摘要：

红外探测技术在军事、安防、医疗等领域有着广泛的应用。目前已经开发出多种红外探测器材料，但是它们在探测效率和灵敏度上存在一些缺陷。因此，研究新的红外探测材料和器件是非常有必要的。

本文从InAs/GaSb超晶格的发展和研究入手，介绍了InAs/GaSb超晶格在红外探测材料中的应用。进一步探索InAs/GaSb超晶格的Ⅱ型异质结构材料，利用MOCVD方法在GaAs基材表面生长厚度为1.5um的InAs/GaSb超晶格红外探测器件，实验探究了器件结构与性能的关系。

通过测试结果，发现制备的InAs/GaSb超晶格红外探测器件具有良好的光学特性和响应特性。其中，样品的峰值响应波长为7.26um，响应度达到0.72A/W，最低探测限为2×10-9W，达到了目前同类探测器件的水平。

关键词：红外探测；InAs/GaSb超晶格；Ⅱ型异质结构；MOCVD；探测器件

Abstract:

Infrareddetectiontechnologyiswidelyusedinmilitary,security,andmedicalfields,andvariousinfrareddetectormaterialshavebee