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- 2024-01-20 发布于四川
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本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供衬底，且于衬底内形成第一沟槽，第一沟槽将衬底分隔成多个有源区；于有源区上方形成初始浮置栅极；于初始浮置栅极的侧壁顶部形成牺牲侧墙；对牺牲侧墙下方的初始浮置栅极侧壁进行刻蚀，以形成侧壁凹陷的浮置栅极；去除牺牲侧墙，且于浮置栅极的顶面以及侧面依次形成层间介质层以及控制栅极。本申请可以有效提高控制栅极与浮置栅极之间的耦合系数。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117425345A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202310011590.7
(22)申请日2023.01.05
(71)申请人北京超弦存储器研究院
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