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本发明涉及一种选择性钝化接触结构的制备方法、太阳能电池。上述选择性钝化接触结构的制备方法在衬底上依次形成隧穿层和局域晶化层，局域晶化层包括多晶硅区域和非晶硅区域。多晶硅区域和/或非晶硅区域掺杂有包括C元素，在后续的碱刻蚀处理过程中，非晶硅膜层中的C会与氢氧根离子反应生成易溶于水的化合物，降低非晶硅膜层对碱的耐腐蚀性能，而掺杂多晶硅随着C的引入则提高了其耐碱腐蚀性，因此多晶硅区域以及非晶硅区域耐碱腐蚀性差异较大，有利于实现更加高效的局部多晶硅薄膜的制备，局域晶化层的非晶硅区域能够更好地去除，同时多
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117438503A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202311623107.7
(22)申请日2023.11.30
(71)申请人天合光能股份有限公司
地址21
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