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本申请提供了一种光刻掩膜缺陷的识别方法、装置、设备及可读介质。该方法包括：获取制造机台中当前晶圆的信息数据，根据所述信息数据确定当前晶圆的晶圆图像中第一缺陷坐标；基于光刻掩膜属性信息将所述晶圆图像进行网格切分，得到每个光刻掩膜网格以及生成每个光刻掩膜网格的位置编号，结合光刻掩膜网格进行所述第一缺陷坐标的映射，得到第二缺陷坐标；按照预设划分规则对每个光刻掩膜网格进行区域划分，得到计量区域；采用预设统计规则对落在每个计量区域内的第二缺陷坐标进行统计计算，得到统计结果，并根据统计结果确定所述光刻掩膜的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117437177A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202311221844.4
(22)申请日2023.09.20
(71)申请人上海朋熙半导体有限公司
地址2
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