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本发明属于功率半导体领域，具体涉及一种氧化镓衬底的表面处理方法、一种大尺寸氧化镓功率器件的制造方法，及对应的大尺寸氧化镓功率器件。表面处理方法包括如下步骤：S1：对包含外延材料的氧化镓衬底进行清洗和干燥，清洗工艺依次包括：(1)利用有机溶剂进行超声波清洗；(2)采用BOE溶液浸泡；(3)采用食人鱼溶液浸泡；(4)采用超纯水进行多次冲洗；S2：将清洗后的衬底材料在O2中以400‑800℃的温度退火处理；S3：采用ICP刻蚀技术对衬底材料的背面进行干法刻蚀；S4：采用腐蚀性溶剂对刻蚀处理后的粗糙表面
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117438287A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202311539135.0H01L29/66(2006.01)
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